自1990年Buehler等采用溅射沉积的方法成功制备出TiNi合金薄膜以来[1]，得益于其较大的恢复力、恢复应变、单位体积输出功等性能,TiNi合金薄膜已成为一类重要的微驱动器材料。各类薄膜沉积工艺陆续被用于制备TiNi基合金薄膜，包括脉冲激光沉积[2]、电子束沉积P]、离子注入[4]等。利用快淬法(甩带)制备TiNi合金薄带的研宄则开始得更早。
磁控溅射与甩带法是最为成功的制备TiNi基合金薄膜/薄带的工艺。制备态的TiNi合金薄膜为完全非晶态，晶化过程中其形核率低，长大速率快，因此晶化薄膜的晶粒尺寸通常在微米量级%71o为获得超细晶TiNi基合金薄膜，研究人员相继开发了多种手段，包括调整成分[8]、快速退火或衬底加热等。本章主要涉及利用前两种手段制备的超细晶TiNi基合金薄膜或薄带，具体内容包括薄膜/薄带的制备工艺、晶化行为、显微组织与形状恢复特性等。